CSD17308Q3

參數名稱 參數值
Source Content uid CSD17308Q3
Brand Name Texas Instruments
是否無鉛 不含鉛
是否Rohs認證 不符合
生命周期 Active
Objectid 2103867582
包裝說明 SMALL OUTLINE, S-PDSO-F5
針數 8
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代碼 EAR99
HTS代碼 8541.29.00.95
風險等級 1.15
Samacsys Description Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Samacsys Manufacturer Texas Instruments
其他特性 AVALANCHE RATED
雪崩能效等級（Eas） 65 mJ
外殼連接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 30 V
最大漏極電流 (Abs) (ID) 44 A
最大漏極電流 (ID) 47 A
最大漏源導通電阻 0.0165 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反饋電容 (Crss) 35 pF
JESD-30 代碼 R-PDSO-N8
JESD-609代碼 e3
濕度敏感等級 1
元件數量 1
端子數量 8
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 150 °C
最低工作溫度 -55 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度） 260
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 28 W
最大脈沖漏極電流 (IDM) 78 A
認證狀態 Not Qualified
子類別 FET General Purpose Power
表面貼裝 YES
端子面層 MATTE TIN
端子形式 NO LEAD
端子位置 DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間 30
晶體管應用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON