NTD6416ANT4G

類別
分立半導體產品
晶體管-FET，MOSFET-單個
制造商
onsemi
系列
-
包裝
卷帶（TR）
剪切帶（CT）
ProductStatus
在售
FET類型
N通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100V
25°C時電流-連續漏極(Id)
17A（Tc）
驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）
10V
不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）
81毫歐@17A，10V
不同Id時Vgs(th)（最大值）
4V@250μA
不同Vgs時柵極電荷(Qg)（最大值）
20nC@10V
Vgs（最大值）
±20V
不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）
620pF@25V
FET功能
-
功率耗散（最大值）
71W（Tc）
工作溫度
-55°C~175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
DPAK
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63
基本產品編號
NTD6416

SQJ407EP-T1_GE3
TPA3118D2DAPR
BTS4140N
R7F7016843AFP
TW8846AT-LA1-GE
MKE02Z64VLH4
DS90UB940TNKDRQ1
AD7689BCPZ