類別
分立半導體產品
晶體管-FET，MOSFET-單個
制造商
InfineonTechnologies
系列
CoolMOS
包裝
卷帶（TR）
剪切帶（CT）
ProductStatus
在售
FET類型
N通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
550V
25°C時電流-連續漏極(Id)
13A（Ta）
驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）
13V
不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）
280毫歐@4.2A，13V
不同Id時Vgs(th)（最大值）
3.5V@350μA
不同Vgs時柵極電荷(Qg)（最大值）
32.6nC@10V
Vgs（最大值）
±20V
不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）
773pF@100V
FET功能
-
功率耗散（最大值）
119W（Tc）
工作溫度
-55°C~150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PG-TO252-3
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63
基本產品編號
IPD50R
TLE4309GATMA1
IPD042P03L3GATMA1
IPD075N03LGATMA1
IPD33CN10NGATMA1
