SQD19P06-60L_GE3

類別
分立半導體產品
晶體管-FET，MOSFET-單個
制造商
VishaySiliconix
系列
Automotive,AEC-Q101,TrenchFET
包裝
卷帶（TR）
剪切帶（CT）
ProductStatus
在售
FET類型
P通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60V
25°C時電流-連續漏極(Id)
20A（Tc）
驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）
4.5V，10V
不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）
55毫歐@19A，10V
不同Id時Vgs(th)（最大值）
2.5V@250μA
不同Vgs時柵極電荷(Qg)（最大值）
41nC@10V
Vgs（最大值）
±20V
不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）
1490pF@25V
FET功能
-
功率耗散（最大值）
46W（Tc）
工作溫度
-55°C~175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
TO-252AA
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63
基本產品編號
SQD19

SC33771CTA1MAE
RA4803SA
S912XEP100W1MAG
TPSM82822SILR
TW9966AT-LC1-GR