FCPF650N80Z

類別
分立半導體產品
晶體管-FET，MOSFET-單個
制造商
onsemi
系列
SuperFETII
包裝
管件
ProductStatus
在售
FET類型
N通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
800V
25°C時電流-連續漏極(Id)
8A（Tc）
驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）
10V
不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）
650毫歐@4A，10V
不同Id時Vgs(th)（最大值）
4.5V@800μA
不同Vgs時柵極電荷(Qg)（最大值）
35nC@10V
Vgs（最大值）
±20V
不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）
1565pF@100V
FET功能
-
功率耗散（最大值）
30.5W（Tc）
工作溫度
-55°C~150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-220F-3
封裝/外殼
TO-220-3整包
基本產品編號
FCPF650