FDD86102

類別
分立半導體產品
晶體管-FET，MOSFET-單個
制造商
onsemi
系列
PowerTrench
包裝
卷帶（TR）
剪切帶（CT）
Digi-Reel得捷定制卷帶
ProductStatus
在售
FET類型
N通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100V
25°C時電流-連續漏極(Id)
8A（Ta），36A（Tc）
驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）
6V，10V
不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）
24毫歐@8A，10V
不同Id時Vgs(th)（最大值）
4V@250μA
不同Vgs時柵極電荷(Qg)（最大值）
19nC@10V
Vgs（最大值）
±20V
不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）
1035pF@50V
FET功能
-
功率耗散（最大值）
3.1W（Ta），62W（Tc）
工作溫度
-55°C~150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
TO-252AA
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63
基本產品編號
FDD861