類別
分立半導體產品
晶體管-FET，MOSFET-單個
制造商
InfineonTechnologies
系列
OptiMOS
包裝
卷帶（TR）
剪切帶（CT）
ProductStatus
在售
FET類型
N通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
120V
25°C時電流-連續漏極(Id)
120A（Tc）
驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）
10V
不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）
3.8毫歐@100A，10V
不同Id時Vgs(th)（最大值）
4V@270μA
不同Vgs時柵極電荷(Qg)（最大值）
211nC@10V
Vgs（最大值）
±20V
不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）
13800pF@60V
FET功能
-
功率耗散（最大值）
300W（Tc）
工作溫度
-55°C~175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PG-TO263-3
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2引線+接片），TO-263AB
基本產品編號
IPB038
TJA1051T/1
TJA1100HN
SPC5775BDK3MME2R
SPC5746RK1MLU3
LPC1833JBD144
MC9S12XEP100MAG
S9S12G64AMLH
MC33FS6500LAE
MKE06Z128VLH4
S9S12G48F0MLH
