IPG20N06S4L26ATMA1

類別
分立半導體產品
晶體管-FET，MOSFET-陣列
制造商
InfineonTechnologies
系列
OptiMOS
包裝
卷帶（TR）
剪切帶（CT）
ProductStatus
在售
FET類型
2N-通道（雙）
FET功能
邏輯電平門
漏源電壓（Vdss）
60V
25°C時電流-連續漏極(Id)
20A
不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）
26毫歐@17A，10V
不同Id時Vgs(th)（最大值）
2.2V@10μA
不同Vgs時柵極電荷(Qg)（最大值）
20nC@10V
不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）
1430pF@25V
功率-最大值
33W
工作溫度
-55°C~175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
8-PowerVDFN
供應商器件封裝
PG-TDSON-8-4
基本產品編號
IPG20N

HCS300T-I/SN
PIC16F18875T-I/PT
PIC16F887-I/PT
ATA6625C-GAQW
STM32L151C8T6A
STM32L431RCT6
VN7050ASTR
IPD50N04S4L-08