產品分類
MOSFETs


晶體管










配置
Single




閾值電壓Vgs(th)
4V@250μA




漏極電流Idss
110A




FET類型
N溝道




包裝
Tube packing




漏源導通電阻 RDS(on)
8mΩ




輸入電容Ciss
3247pF




功率耗散
200W




充電電量
146nC




反向傳輸電容Crss
211pF




柵極源極擊穿電壓
±20V




漏源擊穿電壓BVDSS
55V




極性
N-Channel




元件生命周期
Active




存儲溫度
-55~+175℃




引腳數
3Pins




高度
15.37mm




長x寬/尺寸
10.67 x 4.83mm




認證信息
RoHS




最小包裝
1000pcs




原產國家
Germany




原始制造商
Infineon Technologies AG




品牌
Infineon




技術
MOSFET（金屬氧化物）




不同 Id，Vgs時的 RdsOn（最大值）
8毫歐@62A，10V




漏源極電壓（Vdss）
55V




是否無鉛
Yes




系列
HEXFET®




零件狀態
Active




漏源電壓(Vdss)
55V




連續漏極電流Id@25℃
110A




輸入電容(Ciss)(Max)
3247pF




工作溫度(Tj)
-55~+175℃




安裝類型
DIP




封裝/外殼
TO220AB