產品分類
MOSFETs


晶體管










配置
Single




閾值電壓Vgs(th)
4V@250μA




漏極電流Idss
11A




FET類型
P溝道




包裝
Tape/reel




漏源導通電阻 RDS(on)
175mΩ




輸入電容Ciss
350pF




功率耗散
38W




充電電量
19nC




反向傳輸電容Crss
92pF




柵極源極擊穿電壓
±20V




漏源擊穿電壓BVDSS
55V




極性
P-channel




元件生命周期
Active




存儲溫度
-55~+175℃




引腳數
3Pin




高度
2.39mm




長x寬/尺寸
6.73x6.22mm




認證信息
RoHS




最小包裝
2000pcs




原產國家
Germany




原始制造商
Infineon Technologies AG




品牌
Infineon




技術
MOSFET（金屬氧化物）




不同 Id，Vgs時的 RdsOn（最大值）
175毫歐@6.6A，10V




漏源極電壓（Vdss）
55V




是否無鉛
Yes




系列
HEXFET®




零件狀態
Active




漏源電壓(Vdss)
55V




連續漏極電流Id@25℃
11A




工作溫度(Tj)
-55~+175℃




安裝類型
SMT




封裝/外殼
TO252-2