製造商: Diodes Incorporated
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: SOT-363-6
晶體管極性: N-Channel, P-Channel
通道數: 2 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 20 V
Id - C連續漏極電流: 1.066 A, 845 mA
Rds On - 漏-源電阻: 450 mOhms, 750 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 6 V, + 6 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 500 mV
Qg - 閘極充電: 736.6 nC, 622.4 pC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 330 mW
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
品牌: Diodes Incorporated
配置: Dual
下降時間: 12.3 ns, 20.72 ns
產品: MOSFET Small Signal
產品類型: MOSFET
上升時間: 7.4 ns, 8.1 ns
系列: DMG1016
3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
標準斷開延遲時間: 26.7 ns, 28.4 ns
標準開啟延遲時間: 5.1 ns, 5.1 ns
每件重量: 7.500 mg