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SIA4263DJ-T1-GE3

發布時間:2022/8/11 11:50:00 訪問次數:62

製造商: Vishay
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: SC-70-6
晶體管極性: P-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 20 V
Id - C連續漏極電流: 7.5 A
Rds On - 漏-源電阻: 19.9 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 8 V, + 8 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 1 V
Qg - 閘極充電: 19.8 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 3.29 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
品牌: Vishay / Siliconix
配置: Single
下降時間: 40 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 20 ns, 30 ns
3000
子類別: MOSFETs
標準斷開延遲時間: 95 ns, 115 ns
標準開啟延遲時間: 8 ns, 25 ns

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