SQ2361AEES-T1-GE3

類別
分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單個
制造商
Vishay Siliconix
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
包裝
卷帶（TR）
剪切帶（CT）
Product Status
在售
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)
2.8A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
170 毫歐 @ 2.4A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）
15 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
620 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TA）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本產品編號
SQ2361




FS32K142HFT0MLHT
S9KEAZ128AMLH
FS32K144UAT0VLLT
S9S12G128AMLL
FS32K144HFT0MLLT