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NTD360N80S3Z

發布時間:2022/8/22 15:21:00 訪問次數:55 發布企業:深圳市科雨電子有限公司

製造商: onsemi
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: DPAK-3
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 800 V
Id - C連續漏極電流: 13 A
Rds On - 漏-源電阻: 360 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 3.8 V
Qg - 閘極充電: 25.3 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 96 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
品牌: onsemi
產品類型: MOSFET
原廠包裝數量: 2500
子類別: MOSFETs
每件重量: 360 mg

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