SI2302CDS-T1-E3
發布時間:2022/8/22 15:24:00 訪問次數:72 發布企業:深圳市科雨電子有限公司
製造商: Vishay
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: SOT-23-3
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 20 V
Id - C連續漏極電流: 2.6 A
Rds On - 漏-源電阻: 57 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 8 V, + 8 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 850 mV
Qg - 閘極充電: 3.5 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 710 mW
通道模式: Enhancement
公司名稱: TrenchFET
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
品牌: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降時間: 7 ns
互導 - 最小值: 13 S
高度: 1.45 mm
長度: 2.9 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 7 ns
系列: SI2
原廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 30 ns
標準開啟延遲時間: 8 ns
寬度: 1.6 mm
零件號別名: SI2302CDS-T1-BE3 SI2302CDS-E3
每件重量: 8 mg
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