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SI8802DB-T2-E1 全新原裝正品 現貨

發布時間:2022/8/26 16:20:00 訪問次數:66

SI8802DB-T2-E1

類別
分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單個
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包裝
卷帶(TR)
剪切帶(CT)
Product Status
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
8 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)
3A(Ta)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.2V,4.5V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值)
54 毫歐 @ 1A,4.5V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值)
700mV @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值)
6.5 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±5V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
500mW(Ta)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
4-Microfoot
封裝/外殼
4-XFBGA
基本產品編號
SI8802

SI4848DY-T1-GE3
SI7149DP-T1-GE3
SI7430DP-T1-GE3
SI8409DB-T1-E1
SI8483DB-T2-E1


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