類別
分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單個
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包裝
卷帶（TR）
剪切帶（CT）
Product Status
在售
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
40 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)
3.3A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
15V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
72 毫歐 @ 4.5A，15V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）
14 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±16V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
805 pF @ 20 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.1W（Ta）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
8-SOIC
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
基本產品編號
SI4447
SI2305CDS-T1-GE3
SI2343CDS-T1-GE3
SI2371EDS-T1-GE3
SI4447DY-T1-GE3
