類別
分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單個
制造商
Nexperia USA Inc.
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
包裝
卷帶（TR）
剪切帶（CT）
Product Status
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)
14.8A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
99 毫歐 @ 5A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.15V @ 1mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）
11 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±15V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
1139 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
59W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
LFPAK56，Power-SO8
封裝/外殼
SC-100，SOT-669
基本產品編號
BUK9Y104
BUK6D120-60P
UT4421G-SO8-R
IPB107N20N3CG
SCT2750NYTB
SCT2750NYTB
