描述：STM32F405RGT6
STM32F405RGT6和STM32F407xx系列基于高性能ARM®Cortex®-M432位RISC內核以高達168 MHz的頻率運行。 Cortex-M4
內核具有浮點單元（FPU）單精度功能，該功能支持所有ARM單精度數據處理指令和數據類型。它還實現了全套DSP指令和一個內存保護單元（MPU），可增強應用程序的安全性。
STM32F405RGT6和STM32F407xx系列集成了高速嵌入式內存（最大1 MB的閃存，最大192 Kb的SRAM），最大4 Kb的閃存
備份SRAM，以及廣泛的增強型I / O和連接到兩個的外圍設備APB總線，三個AHB總線和一個32位多AHB總線矩陣。
所有器件均提供三個12位ADC，兩個DAC，一個低功耗RTC，十二個通用16位定時器，其中包括兩個用于電動機控制的PWM定時器，兩個通用32位定時器。真正的隨機數生成器（RNG）。它們還具有標準和高級功能通訊接口。
•多達三個I2C
•三個SPI，兩個I2S全雙工。為了達到音頻等級的準確性，I2S外設可以通過專用的內部音頻PLL或外部時鐘為時鐘提供時鐘同步。
•四個USART加兩個UART
•具有全速功能的USB OTG全速和USB OTG高速（具有ULPI），
•兩個CAN
•SDIO / MMC接口
•以太網和攝像頭接口僅在STM32F407xx設備上可用。
新的高級外設包括SDIO，增強的靈活靜態存儲器控制（FSMC）接口（適用于以100針及以上的封裝提供的設備），一個攝像頭
CMOS傳感器的接口。參見表2：STM32F405RGT6和STM32F407xx：功能和每個零件號上可用外圍設備列表的外圍設備計數。
STM32F405RGT6和STM32F407xx系列在–40至+105°C的溫度下工作范圍從1.8到3.6 V電源。當電源電壓降到1.7 V時，電源電壓可以降至1.7V。使用外部電源，設備可在0至70°C的溫度范圍內工作
主管：請參閱部分：內部復位關閉。一套全面的節能模式允許設計低功耗應用。
STM32F405RGT6和STM32F407xx系列以各種封裝形式提供器件從64針到176針。所包括的外圍設備的集合隨所選設備的不同而變化。
這些特性使STM32F405RGT6和STM32F407xx微控制器系列適用
適用于廣泛的應用：
•電機驅動和應用控制
• 醫療器材
•工業應用：PLC，變頻器，斷路器
•打印機和掃描儀
•報警系統，可視對講和HVAC
•家用音響電器
特征：STM32F405RGT6
•核心：帶FPU的ARM®32位Cortex®-M4CPU，
自適應實時加速器（ART
Accelerator™）允許執行0等待狀態
來自閃存，頻率高達168 MHz，
內存保護單元，210 DMIPS /
1.25 DMIPS / MHz（Dhrystone 2.1）和DSP
指示STM32F405RGT6
•回憶
•高達1 MB的閃存
•高達192 + 4 KB的SRAM，包括64-
千字節CCM（核心耦合內存）數據
內存STM32F405RGT6
•靈活的靜態內存控制器支持
緊湊型閃存，SRAM，PSRAM，NOR和
NAND存儲器
•LCD并行接口，8080/6800模式
•時鐘，重置和電源管理
– 1.8 V至3.6 V應用電源和I / O
– POR，PDR，PVD和BOR
– 4至26 MHz的晶體振蕩器
–內部16 MHz工廠調整的RC（1％
準確性）STM32F405RGT6
–用于校準的RTC的32 kHz振蕩器
–具有校準的內部32 kHz RC
•低功耗運行
–睡眠，停止和待機模式
–用于RTC的VBAT電源，20×32位備用
寄存器+可選的4 KB備份SRAM
•3×12位，2.4 MSPS A / D轉換器：最多24個
通道和7.2 MSPS（三重交錯）
模式STM32F405RGT6
•2×12位D / A轉換器
•通用DMA：16流DMA
具有FIFO和突發支持的控制器
•最多17個計時器：最多12個16位和2個32位
位定時器，最高168 MHz，每個定時器最多4
IC / OC / PWM或脈沖計數器和正交
（增量）編碼器輸入
• 調試模式
–串行線調試（SWD）和JTAG
介面STM32F405RGT6
– Cortex-M4嵌入式跟蹤Macrocell™
•多達140個具有中斷功能的I / O端口
–高達136個快速I / O，頻率高達84 MHz
–多達138個5 V耐壓I / O
•多達15個通訊接口
–多達3個I2C接口（SMBus / PMBus）
–多達4個USARTs / 2 UART（10.5 Mbit / s，ISO
7816接口，LIN，IrDA，調制解調器控制）
–多達3個SPI（42 Mbit / s），其中2個具有多路復用器
全雙工I2S實現音頻等級
通過內部音頻PLL或外部音頻實現精度
鐘STM32F405RGT6
– 2×CAN接口（2.0B有效）
– SDIO接口
•高級連接
– USB 2.0全速設備/主機/ OTG
帶有片上PHY的控制器
– USB 2.0高速/全速
具有專用功能的設備/主機/ OTG控制器
DMA，片上全速PHY和ULPI
–具有專用DMA的10/100以太網MAC：
支持IEEE 1588v2硬件MII / RMII
•8至14位并行攝像頭接口，最大
54 MB /秒STM32F405RGT6
•真隨機數生成器
•CRC計算單元
•96位唯一ID
•RTC：亞秒級精度，硬件校準
制造商: STMicroelectronics
產品種類: ARM微控制器 - MCU
RoHS: 詳細信息
系列:STM32F405RGT6
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: LQFP-64
核心: ARM Cortex M4
程序存儲器大小: 1 MB
數據總線寬度: 32 bit
ADC分辨率: 12 bit
最大時鐘頻率: 168 MHz
輸入/輸出端數量: 51 I/O
數據 RAM 大小: 192 kB
工作電源電壓: 1.8 V to 3.6 V
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
封裝: Tray
產品: MCU+FPU
程序存儲器類型: Flash
商標: STMicroelectronics
數據 Ram 類型: SRAM
接口類型: CAN, I2C, SDIO, I2S / SPI, UART / USART, USB
DAC分辨率: 12 bit
濕度敏感性: Yes
ADC通道數量: 16 Channel
處理器系列: STM32F40
產品類型: ARM Microcontrollers - MCU
工廠包裝數量: 960
子類別: Microcontrollers - MCU
電源電壓-最大: 3.6 V
電源電壓-最小: 1.8 V
商標名: STM32
看門狗計時器: Watchdog Timer, Windowed
單位重量: 350 mg
以下物料均有現貨庫存：STM32F405RGT6
STM32F101RBT6
STM32F103CBT6
STM32F103C8T6
STM32F103R8T6
STM32F103VBT6
STM32F103RBT6
STM32F103VCT6
STM32F103ZET6
STM32F103VET6
STM32F103RET6
STM32F103RCT6
STM32F103RGT6
STM32F103RCY6TR
STM32F103T8U6
STM32F103VGT6
STM32F103ZGT6
STM32F105RBT6
STM32F105RCT6
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STM32F105VCT6
STM32F107VCT6
STM32F107RCT6
STM32F100R8T6B
STM32F100C6T6B
STM32F100VCT6B
STM32F100RBT6B
STM32F100C8T6B
STM32F100C4T6B
STM32F215RGT6
STM32F205RGT6
STM32F205RET6
STM32F205RCT6
STM32F205VGT6
STM32F205VET6
STM32F205VCT6
STM32F205ZET6
STM32F205ZGT6
STM32F207VCT6
STM32F405RGT6
STM32F207VGT6
STM32F207VET6
STM32F207ZET6
STM32F207ZGT6
STM32F373CCT6
STM32F301K8T6
STM32F302C8T6
STM32F302CBT6
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STM32F302RBT6
STM32F302K8U6
STM32F302VET6
STM32F302VDT6
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STM32F303CBT6
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STM32F303RBT6
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STM32F303RET6
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STM32F303ZET6
STM32F411CEU6
STM32F411CCU6TR
STM32F411RCT6
STM32F411RET6
STM32F411VET6
以下物料均有現貨庫存：
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今年3月份Intel新任CEO基辛格宣布了全新的IDM 2.0戰略，此后Intel開始了大規模的工廠擴建計劃，在美國、歐洲、亞洲等地區都會建晶圓制造及封測工廠，未來五年內產能提升30%，而且新工藝頻發。
今年9月份，Intel已經在亞利桑那州動工建設新的晶圓廠，投資高達200億美元，兩座工廠分別會命名為Fab 52、Fab 62，并首次透露這些工廠將會在2024年量產20A工藝——這與之前預期的不同，原本以為會量產的是Intel 4這樣的下兩代工藝。
在歐洲，Intel之前宣布了未來十年內有望投資1000億美元的龐大計劃，目前除了擴建愛爾蘭的晶圓廠之外，還有望在德國建設新的晶圓廠，在意大利建設新的封測廠，只不過現在還沒有正式公布，要到明年初才能決定。
前不久Intel還宣布在馬來西亞投資71億美元擴建封測廠，這里是Intel的芯片封測基地。
業界估計，Intel此番大舉擴張，預計在5年內，也就是2026年的時候產能將增長30%以上，有望追趕臺積電。
除了產能提升之外，Intel的芯片工藝也會突飛猛進，從今年底的12代酷睿使用的Intel 7工藝開始，到2025年的四年里升級五代工藝——分別是Intel 7、Intel 4、Intel 3及Intel 20A、Intel 18A，其中前面三代工藝還是基于FinFET晶體管的，從Intel 4開始全面擁抱EUV光刻工藝。
至于后面的兩代工藝，20A首次進入埃米級時代，放棄FinFET晶體管，擁有兩項革命性技術，RibbonFET就是類似三星的GAA環繞柵極晶體管，PoerVia則首創取消晶圓前側的供電走線，改用后置供電，也可以優化信號傳輸。
20A工藝在2024年量產，2025年則會量產改進型的18A工藝，這次會首發下一代EUV光刻機，NA數值孔徑會從現在的0.33提升到0.55以上。
