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晶體管 小信號場效應晶體管 PMV40UN2R

發布時間:2022/9/21 14:50:00 訪問次數:47

PMV40UN2R

Source Content uid PMV40UN2R
Brand Name Nexperia
生命周期 Active
Objectid 4002392953
零件包裝代碼 TO-236
包裝說明 PLASTIC PACKAGE-3
針數 3
制造商包裝代碼 SOT23
Reach Compliance Code compliant
風險等級 1.09
Samacsys Description MOSFET 30V N-channel Trench MOSFET
Samacsys Manufacturer Nexperia
Samacsys Modified On 2022-07-14 06:25:26
YTEOL 7.18
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 30 V
最大漏極電流 (ID) 3.7 A
最大漏源導通電阻 0.044 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼 TO-236AB
JESD-30 代碼 R-PDSO-G3
JESD-609代碼 e3
濕度敏感等級 1
元件數量 1
端子數量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度(攝氏度) 260
極性/信道類型 N-CHANNEL
參考標準 IEC-60134
表面貼裝 YES
端子面層 Tin (Sn)
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間 30
晶體管應用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON
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