Source Content uid
PMV40UN2R
Brand Name
Nexperia
生命周期
Active
Objectid
4002392953
零件包裝代碼
TO-236
包裝說明
PLASTIC PACKAGE-3
針數
3
制造商包裝代碼
SOT23
Reach Compliance Code
compliant
風險等級
1.09
Samacsys Description
MOSFET 30V N-channel Trench MOSFET
Samacsys Manufacturer
Nexperia
Samacsys Modified On
2022-07-14 06:25:26
YTEOL
7.18
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓
30 V
最大漏極電流 (ID)
3.7 A
最大漏源導通電阻
0.044 Ω
FET 技術
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼
TO-236AB
JESD-30 代碼
R-PDSO-G3
JESD-609代碼
e3
濕度敏感等級
1
元件數量
1
端子數量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
SMALL OUTLINE
峰值回流溫度(攝氏度)
260
極性/信道類型
N-CHANNEL
參考標準
IEC-60134
表面貼裝
YES
端子面層
Tin (Sn)
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間
30
晶體管應用
SWITCHING
晶體管元件材料
SILICON
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晶體管 小信號場效應晶體管 PMV40UN2R
發布時間:2022/9/21 14:50:00 訪問次數:47
PMV40UN2R