商品目錄 功率MOSFET
25°C時電流-連續漏極(Id) 50A(Tc)
FET類型 P 通道
Vgs(最大值) ±20V
不同Id、Vgs時導通電阻(最大值) 7 毫歐 @ 50A,10V
不同Id時Vgs(th)(最大值) 2V @ 250uA
不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值) 6880pF @ 25V
不同Vgs時柵極電荷 (Qg)(最大值) 126nC @ 10V
功率耗散(最大值) 150W(Tc)
封裝/外殼 TO-252-5,DPak(4 引線 + 接片),TO-252AD
工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 30V
驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V
SPD50P03LGBTMA1
發布時間:2022/9/22 12:27:00 訪問次數:70
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