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IRFB3207PBF

發布時間:2022/10/8 10:46:00 訪問次數:81

產品屬性 屬性值

制造商: Infineon

產品種類: MOSFET
RoHS:
技術: Si

安裝風格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-220-3

晶體管極性: N-Channel

通道數量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 75 V

Id-連續漏極電流: 180 A

Rds On-漏源導通電阻: 3.6 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V

Qg-柵極電荷: 180 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 330 W

通道模式: Enhancement

封裝: Tube

商標: Infineon / IR
配置: Single
高度: 15.65 mm
長度: 10 mm
產品類型: MOSFET
工廠包裝數量: 1000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 4.4 mm
零件號別名: IRFB3207PBF SP001572410
單位重量: 2 g
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