類別
分立半導體產品
單 FET，MOSFET
制造商
IXYS
系列
HiPerFET™
包裝
托盤
Product Status
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)
1220A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
1.35 毫歐 @ 932A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4V @ 64mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）
2520 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
-
工作溫度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
底座安裝
供應商器件封裝
Y3-Li
封裝/外殼
Y3-Li
基本產品編號
VMO1200