類別
分立半導體產品
單 FET，MOSFET
制造商
GeneSiC Semiconductor
系列
G2R™
包裝
管件
Product Status
在售
FET 類型
N 通道
技術
SiCFET（碳化硅）
漏源電壓（Vdss）
3300 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)
35A
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
20V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
156 毫歐 @ 20A，20V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
-
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）
145 nC @ 20 V
Vgs（最大值）
+25V，-10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
3706 pF @ 1000 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
-
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
TO-263-7
封裝/外殼
TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA
基本產品編號
G2R120