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F4-50R07W1H3-B11A

發布時間:2022/12/8 16:40:00 訪問次數:60 發布企業:蘇州銀邦電子科技有限公司

F4-50R07W1H3-B11A

品牌:英飛凌

電流:50A

電壓:700V

工作溫度(Max):150 ℃

工作溫度(Min):-40 ℃

安裝方式:螺絲型

包裝方式:標準封裝

貨期期:2-3天

庫存:9999
發貨地:江蘇蘇州









IGBT的開通和關斷過程。開通過程的特性類似于MOSFET;因為在這個區間,IGBT大部分時間作為MOSFET運行。開通時間由4個部分組成。
開通延遲時間td是外施柵極脈沖從負到正跳變開始,到柵-射電壓充電到UGE th的時間。這以后集電極電流從0開始上升,到90%穩態值的時間
為電流上升時間tri。在這兩個時間內,集-射極間電壓UCE基本不變。此后,UCE開始下降。下降時間tfu1是MOSFET工作時漏-源電壓下降時間
tfu2是MOSFET和PNP晶體管同時工作時漏-源電壓下降時間;因此,IGBT開通時間為 ton=td+tr+tfu1+tfu2。
開通過程中,在td、tr時間內,柵-射極間電容在外施正電壓作用下充電,且按指數規律上升,在tfu1、tfu2這一時間段內MOSFET開通,流過對
GTR的驅動電流,柵-射極電壓基本維持IGBT完全導通后驅動過程結束。柵-射極電壓再次按指數規律上升到外施柵極電壓值。
IGBT關斷時,在外施柵極反向電壓作用下,MOSFET輸入電容放電,內部PNP晶體管仍然導通,在最初階段里,關斷的延遲時間td和電壓UCE的
上升時間tr,由IGBT中的MOSFET決定。關斷時IGBT和MOSFET的主要差別是電流波形分為tfi1和tfi2兩部分,其中,tfi1由MOSFET決定,對應于
MOSFET的關斷過程;tfi2由PNP晶體管中存儲電荷所決定。因為在tfi1末尾MOSFET已關斷,IGBT又無反向電壓,體內的存儲電荷難以被迅速消除;
所以漏極電流有較長的下降時間。因為此時漏源電壓已建立,過長的下降時間會產生較大的功耗,使結溫增高;所以希望下降時間越短越好。


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