類別
分立半導體產品
單 FET，MOSFET
制造商
Transphorm
系列
SuperGaN™
包裝
管件
Product Status
在售
FET 類型
N 通道
技術
GaNFET（氮化鎵）
漏源電壓（Vdss）
650 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)
93A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
18 毫歐 @ 60A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4.8V @ 2mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）
100 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
5218 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
266W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-247-3
封裝/外殼
TO-247-3