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SCTWA30N120

發布時間:2022/12/26 11:11:00 訪問次數:38

類別
分立半導體產品
單 FET,MOSFET
制造商
STMicroelectronics
系列
-
包裝
管件
Product Status
在售
FET 類型
N 通道
技術
SiCFET(碳化硅)
漏源電壓(Vdss)
1200 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)
45A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
20V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值)
100 毫歐 @ 20A,20V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 1mA (標準)
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值)
105 nC @ 20 V
Vgs(最大值)
+25V,-10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值)
1700 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
270W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 200°C(TJ)
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
HiP247™ 長引線
封裝/外殼
TO-247-3
基本產品編號
SCTWA30

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