技術
MOSFET（金屬氧化物）
配置
N 和 P 溝道
FET 功能
邏輯電平門
漏源電壓（Vdss）
60V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)
305mA，190mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
1.4 歐姆 @ 500mA，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷(Qg)（最大值）
0.75nC @ 4.5V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
30pF @ 25V
功率 - 最大值
250mW
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
SOT-563，SOT-666
供應商器件封裝
SC-89（SOT-563F）
基本產品編號
SI1029
