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NX1029X,115

發布時間:2023/1/29 10:48:00 訪問次數:50

技術 MOSFET(金屬氧化物)


配置 N 和 P 溝道


FET 功能 邏輯電平門


漏源電壓(Vdss) 60V,50V


25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) 330mA,170mA


不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值) 7.5 歐姆 @ 100mA,10V


不同 Id 時 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250μA


不同 Vgs 時柵極電荷(Qg)(最大值) 0.35nC @ 5V


不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值) 36pF @ 25V


功率 - 最大值 500mW


工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)


安裝類型 表面貼裝型


封裝/外殼 SOT-563,SOT-666


供應商器件封裝 SOT-666


基本產品編號 NX1029

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