制造商:
Vishay
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
TO-263-3
晶體管極性:
P-Channel
通道數量:
1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
80 V
Id-連續漏極電流:
110 A
Rds On-漏源導通電阻:
11.2 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
- 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
1 V
Qg-柵極電荷:
180 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 175 C
Pd-功率耗散:
375 W
通道模式:
Enhancement
商標名:
TrenchFET
系列:
SUM
封裝:
Reel
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
商標:
Vishay / Siliconix
配置:
Single
下降時間:
550 ns
正向跨導 - 最小值:
85 S
高度:
4.83 mm
長度:
10.67 mm
產品類型:
MOSFET
上升時間:
330 ns
工廠包裝數量:
800
子類別:
MOSFETs
晶體管類型:
1 P-Channel
典型關閉延遲時間:
135 ns
典型接通延遲時間:
20 ns
寬度:
9.65 mm
單位重量:
4 g
SUM110P08-11L-E3
發布時間:2023/2/16 14:47:00 訪問次數:49
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