NGTB15N60S1EG
制造商:
onsemi
產品種類:
IGBT 晶體管
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
封裝 / 箱體:
TO-220-3
安裝風格:
Through Hole
集電極—發射極最大電壓 VCEO:
600 V
集電極—射極飽和電壓:
1.7 V
柵極/發射極最大電壓:
- 20 V, + 20 V
在25 C的連續集電極電流:
30 A
Pd-功率耗散:
47 W
系列:
NGTB15N60S1
封裝:
Tube
商標:
onsemi
柵極—射極漏泄電流:
100 nA
產品類型:
IGBT Transistors
工廠包裝數量:
1
子類別:
IGBTs
單位重量:
2.300 g
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