SSM6K824R,LFSSM6K818R,LFSSM6K819R,LFSSM6J808R,LFSSM6K809R,LFSSM6K810R,LFSSM6J801R,LF

TSOP6F 封裝 MOSFET 在小型封裝中提供功率密度和性能。這些產品適用于消費和工業設備中的電機控制等應用。

此外，AEC-Q101 合規性使產品適用于汽車和其他高可靠性應用。

這些產品采用 Toshiba 的 UMOS 工藝，具有低導通電阻。此外，TSOP6F 封裝以其扁平引線擴展了芯片的安裝能力，

降低了芯片的熱阻。因此，產品的功率耗散為 1.5 W，有助于降低設備能耗。

Toshiba 的 TSOP6F MOSFET 范圍為 -40 V 至 100 V，提供 N 溝道和 P 溝道選項，且 RDS(ON)低至 12 mΩ。

特性 小型 TSOP6F 封裝：2.9 mm x 2.8 mm x 0.80 mm（典型值） 高允許功率耗散額定值：PD=1.5 W 通過低導通電阻降低能耗： 寬 VDSS，從 20 V 到 100 V VGS= 4.5V 時 RDS(ON)= 32.5 mΩ (max) (SSM6K824R) VGS= -4.5V 時 RDS(ON)= 73 mΩ (max) (SSM6J825R) 應用 電機控制電路（電源管理開關） 汽車設備（頭燈、轉向燈、日間行車燈等） 消費電子設備 工業設備 LED 應用 照明應用