品牌:美高森美
電流:60A
電壓:200V
工作溫度(Max):175℃
工作溫度(Min):-55 ℃
安裝方式:螺絲型
包裝方式:標準封裝
貨期期:2天
庫存:1000
發貨地:江蘇蘇州
場效應管主要分兩種類型,分別是結型場效應管(JFET)和絕緣柵場效應管(MOS管)
MOS管即MOSFET,中文全稱是金屬-氧化物半導體場效應晶體管,由于這種場效應管的柵極被絕緣層隔離,所以又叫絕緣柵場效應管,
MOSFET又可分為N溝耗盡型和增強型;P溝耗盡型和增強型四大類。
有的MOSFET內部有個二極管,這是體二極管,或者叫寄生二極管、續流二極管。
寄生二極管的作用,兩種解釋:
1、MOSFET的寄生二極管,作用是防止VDD過壓的情況下,燒壞MOS管,因為在過壓對MOS管造成破壞之前,二極管先反向擊穿,
將大電流直接到地,從而避免MOS管被燒壞。
2、防止MOS管的源極和漏極反接時燒壞MOS管,也可以在電路有反向感生電壓時,為反向感生電壓提供通路,避免反向感生
電壓擊穿MOS管。
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由晶體三極管和MOS管組成的復合型半導體器件,IGBT作為
新型電子半導體器件,具有輸入阻抗高,電壓控制功耗低,控制電路簡單,耐高壓,承受電流大等特性,在各種電子電路中應用。
IGBT的電路符號沒有統一,畫原理圖時一般是借用三極管、MOS管的符號,這時可以從原理圖上標注的型號來判斷是IGBT還是MOS管。
同時還要注意IGBT有沒有體二極管,圖上沒有標出并不表示一定沒有,除非官方資料有特別說明,否則這個二極管是存在
IGBT內部的體二極管并非寄生的,而是為了保護IGBT脆弱的反向耐壓而特別設置的,又稱為FWD(續流二極管),判斷IGBT內部是否有
體二極管也并不困難,可以用萬用表測量IGBT的C極和E極,如果IGBT是好的,C、E兩極測得電阻值無窮大,則說明IGBT沒有體二極管。
IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構成的。
IGBT實際就是MOSFET和晶體管三極管的組合,MOSFET存在導通電阻高的缺點,但IGBT克服了這一缺點,在高壓時IGBT仍具有較低的導通電阻。
另外,相似功率容量的IGBT和MOSFET,IGBT的速度可能會慢于MOSFET,因為IGBT存在關斷拖尾時間,由于IGBT關斷拖尾時間長,死區時間
也要加長,從而會影響開關頻率。
在電路中,選用MOS管作為功率開關管還是選擇IGBT管,如果從系統的電壓、電流、切換功率等因素作為考慮,可以總結出以下幾點:
MOSFET優點是高頻特性好,可以工作頻率可以達到幾百kHz、上MHz,缺點是導通電阻大在高壓大電流場合功耗較大;而IGBT在低頻及較大功率
場合下表現卓越,其導通電阻小,耐壓高。
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