品牌:美高森美
電流:60A
電壓:600V
工作溫度(Max):175℃
工作溫度(Min):-55 ℃
安裝方式:螺絲型
包裝方式:標準封裝
貨期期:2天
庫存:1000
發貨地:江蘇蘇州
VMOS場效應管(VMOSFET)簡稱VMOS管或功率場效應管,其全稱為V型槽MOS場效應管。它是繼MOSFET之后新發展起來的高效、
功率開關器件。它不僅繼承了MOS場效應管輸入阻抗高(≥108W)、驅動電流小(左右0.1μA左右),還具有耐壓高(高可耐壓1200V)、
工作電流大(1.5A~100A)、輸出功率高(1~250W)、跨導的線性好、開關速度快等優良特性。正是由于它將電子管與功率晶體管之
優點集于一身,因此在電壓放大器(電壓放大倍數可達數千倍)、功率放大器、開關電源和逆變器中正獲得很多應用。
傳統的MOS場效應管的柵極、源極和漏極大大致處于同一水平面的芯片上,其工作電流基本上是沿水平方向流動。VMOS管則不同,
其兩大結構特點:第一,金屬柵極采用V型槽結構;第二,具有垂直導電性。由于漏極是從芯片的背面引出,所以ID不是沿芯片水平流動,
而是自重摻雜N+區(源極S)出發,經過P溝道流入輕摻雜N-漂移區,最后垂直向下到達漏極D。因為流通截面積增大,所以能通過大電流。
由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣層,因此它仍屬于絕緣柵型MOS場效應管。
美高森美 APT2X30D20J
美高森美 APT2X30D30J
美高森美 APT2X30D40J
美高森美 APT2X30D60J
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美高森美 APT2X31DQ120J
美高森美 APT2X60D20J
美高森美 APT2X60D30J
美高森美 APT2X60D40
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美高森美 APT2X31D100J
美高森美 APT2X31D120J
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美高森美 APT2X101DQ120J
美高森美 APT2X31S20J
美高森美 APT2X61S20J
美高森美 APT2X101S20J
美高森美 IXFN100N20
美高森美 IXFN100N50P
美高森美 IXFN100N50Q3
美高森美 IXFN100N65X2
美高森美 IXFN102N30P
美高森美 IXFN106N20
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美高森美 IXFN120N20
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美高森美 IXFN180N07
美高森美 IXFN180N10
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艾賽斯 IXFN180N20
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艾賽斯 IXFN200N07
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艾賽斯 IXFN36N100
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艾賽斯 IXFN44N100Q3
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艾賽斯 IXFN50N50
艾賽斯 IXFN52N100X
艾賽斯 IXFN52N90P
艾賽斯 IXFN55N50
艾賽斯 IXFN55N50F
艾賽斯 IXFN56N90P
艾賽斯 IXFN38N100Q2