品牌：RENESAS
封裝：TO-220F
批號：22+
數量：5000
交期：原裝現貨
價格：特價
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參數名稱
參數值
Source Content uid
2SK3326B-S17-AY
Brand Name
Renesas
是否無鉛
不含鉛
是否Rohs認證
符合
生命周期
Obsolete
Objectid
1819301472
零件包裝代碼
MP-45F
包裝說明
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
針數
0
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代碼
EAR99
風險等級
9.15
Samacsys Description
Switching N-Channel Power Mosfet
Samacsys Manufacturer
Renesas Electronics
Samacsys Modified On
2022-04-28 13:17:55
雪崩能效等級（Eas）
10.7 mJ
外殼連接
ISOLATED
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓
500 V
最大漏極電流 (Abs) (ID)
10 A
最大漏極電流 (ID)
10 A
最大漏源導通電阻
0.85 Ω
FET 技術
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼
TO-220AB
JESD-30 代碼
R-PSFM-T3
元件數量
1
端子數量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度
150 °C
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
FLANGE MOUNT
峰值回流溫度（攝氏度）
NOT SPECIFIED
極性/信道類型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
40 W
最大脈沖漏極電流 (IDM)
40 A
認證狀態
Not Qualified
子類別
FET General Purpose Power
表面貼裝
NO
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長時間
NOT SPECIFIED
晶體管應用
SWITCHING
晶體管元件材料
SILICON
參數規格與技術文檔
全部數據手冊技術文檔
全部
全部
數據手冊
技術文檔
下載: 2SK3326B-S17-AY
Renesas Electronics Corporation
下載: 2SK3326B-S17-AY
Renesas Electronics Corporation
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2SK3326B-S17-AY
