IMW65R048M1H

類型 描述 選擇

類別 分立半導體產品 晶體管 FET，MOSFET 單 FET，MOSFET

制造商 Infineon Technologies

系列 CoolSIC™ M1

包裝 管件

產品狀態 在售

FET 類型 N 通道

技術 SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss） 650 V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) 39A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 18V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） 64 毫歐 @ 20.1A，18V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 5.7V @ 6mA

不同 Vgs 時柵極電荷(Qg)（最大值） 33 nC @ 18 V

Vgs（最大值） +23V，-5V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 1118 pF @ 400 V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 125W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型 通孔

供應商器件封裝 PG-TO247-3-41

封裝/外殼 TO-247-3

基本產品編號 IMW65R048

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BTN7030-1EPA
NTSB30U100CTT4G
TMS320F28374SPTPT
TMS320F28335PGFA
IPW65R050CFD7A
IMW65R048M1H
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FX32K146UAT0VLLT
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CC430F5137IRGZR
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IPT015N10N5
TCA6424ARGJR
TPS2491DGSR
CC2642R1TWFRTCRQ1
FX32K146UAT0VLLT
R7F701442EAFB-C#BAO
CC430F5133IRGZR
TMS320F28027PTT
SAK-TC277TP-64F200N DC
SAK-TC1782F-320F180HR BA
TLE9842QX
TLE9201SG
BCM89820A2BFBGT
BTN7030-1EPA
SAE800G GEG