類型 描述 選擇
類別
分立半導體產品
晶體管
FET，MOSFET
單 FET，MOSFET
制造商
Infineon Technologies
系列
Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ CFD7A
包裝
管件
產品狀態
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
650 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)
45A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
50 毫歐 @ 24.8A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 1.24mA
不同 Vgs 時柵極電荷(Qg)（最大值）
102 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
4975 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
227W（Tc）
工作溫度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
PG-TO247-3-41
封裝/外殼
TO-247-3
基本產品編號
IPW65R050
BTN7030-1EPA
NTSB30U100CTT4G
TMS320F28374SPTPT
TMS320F28335PGFA
IPW65R050CFD7A
IMW65R048M1H
BCM89820A2BFBGT
FX32K146UAT0VLLT
R7F701442EAFB-C#BAO
CC430F5137IRGZR
IPT039N15N5
IPT015N10N5
TCA6424ARGJR
TPS2491DGSR
CC2642R1TWFRTCRQ1
FX32K146UAT0VLLT
R7F701442EAFB-C#BAO
CC430F5133IRGZR
TMS320F28027PTT
SAK-TC277TP-64F200N DC
SAK-TC1782F-320F180HR BA
TLE9842QX
TLE9201SG
BCM89820A2BFBGT
BTN7030-1EPA
SAE800G GEG
IPT039N15N5
IPT015N10N5
IPW65R050CFD7A
IMBG65R057M1H
IMW65R048M1H
IMW65R072M1H
IMZA65R027M1H
IMZA65R048M1H
