H5TQ1G63EFR-PBC1Gb DDR3 SDRAM

H5TQ1G83EFR-xxC

H5TQ1G83EFR-xxI

H5TQ1G83EFR-xxL

H5TQ1G83EFR-xxJ

H5TQ1G63EFR-xxC

H5TQ1G63EFR-xxI

H5TQ1G63EFR-xxL

H5TQ1G63EFR-xxJ

H5TQ1G63EFR-PBC描述
H5TQ1G6(8)3EFR-xxx系列是1,073,741,824位CMOS雙數據速率III (DDR3)同步
DRAM，非常適合需要大內存密度和高容量的主存儲器應用
帶寬。SK海力士(SK hynix)的1Gb DDR3 dram提供了完全同步的操作
還有落下的鐘邊。而所有的地址和控制輸入鎖存在上升邊緣
CK (CK的下降邊)，數據，數據頻閃和寫數據掩碼輸入都在上升上采樣
它的落邊。數據路徑是內部流水線和8位預取，以實現非常高
帶寬。
•平均刷新周期(0℃~ 95℃)
-40℃~ 85℃時- 7.8µs
在85℃~ 95℃時- 3.9µs
商用溫度(0℃~ 85℃)
工業溫度(-40℃~ 95℃)
•JEDEC標準78ball FBGA(x8)， 96ball FBGA(x16)
•EMRS選擇的駕駛員強度
•支持動態上模終止
•支持異步復位引腳
•支持TDQS(終止數據頻閃)(僅限x8)
•支持寫入Levelization
•8位預取