DRAM，非常適合需要大內存密度和高容量的主存儲器應用
帶寬。SK海力士(SK hynix)的1Gb DDR3 dram提供了完全同步的操作
還有落下的鐘邊。而所有的地址和控制輸入鎖存在上升邊緣
CK (CK的下降邊)，數據，數據頻閃和寫數據掩碼輸入都在上升上采樣
它的落邊。數據路徑是內部流水線和8位預取，以實現非常高
帶寬
H5TQ1G63EFR-PBC
發布時間:2023/5/9 10:13:00 訪問次數:38
H5TQ1G6(8)3EFR-xxx系列是1,073,741,824位CMOS雙數據速率III (DDR3)同步
DRAM，非常適合需要大內存密度和高容量的主存儲器應用
帶寬。SK海力士(SK hynix)的1Gb DDR3 dram提供了完全同步的操作
還有落下的鐘邊。而所有的地址和控制輸入鎖存在上升邊緣
CK (CK的下降邊)，數據，數據頻閃和寫數據掩碼輸入都在上升上采樣
它的落邊。數據路徑是內部流水線和8位預取，以實現非常高
帶寬
DRAM，非常適合需要大內存密度和高容量的主存儲器應用
帶寬。SK海力士(SK hynix)的1Gb DDR3 dram提供了完全同步的操作
還有落下的鐘邊。而所有的地址和控制輸入鎖存在上升邊緣
CK (CK的下降邊)，數據，數據頻閃和寫數據掩碼輸入都在上升上采樣
它的落邊。數據路徑是內部流水線和8位預取，以實現非常高
帶寬
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