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K4B4G1646D-BYMA

發布時間:2023/5/11 10:19:00 訪問次數:50

4Gb DDR3 SDRAM D-die結構為32Mbit x 16I/ o x 8bank,
設備。該同步裝置實現了高速雙數據速率
傳輸速率高達1866Mb/sec/pin (DDR3-1866),適用于一般應用。
該芯片設計符合以下關鍵DDR3 SDRAM功能功能,如貼附CAS,可編程CWL,內部(自)校準,
使用ODT引腳和異步復位的芯片終止。
所有的控制和地址輸入與一對外部最終提供的差分時鐘同步。輸入鎖存于不同時鐘的交叉點(CK上升和CK下降)。所有的I/ o都同步到a
一對雙向頻閃燈(DQS和DQS)在一個源同步閃光燈離子。地址總線用于傳遞行、列和銀行地址
RAS/CAS多路復用方式的信息。DDR3設備運行
單路1.35V(1.28V~1.45V)或1.5V(1.425V~1.575V)電源
和1.35V(1.28V~1.45V)或1.5V(1.425V~1.575V) VDDQ。
4Gb DDR3L D-die器件提供96ball FBGAs(x16)

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