雙數據速率體系結構是一種8n預取體系結構，其接口de簽名用于在I/O引腳上每個時鐘周期傳輸兩個數據字。一次讀或寫
DDR3 SDRAM的操作有效地由內部DRAM核心的單個8n位寬，四個時鐘周期數據傳輸和I/O引腳的八個相應的n位寬，一個半時鐘周期數據傳輸組成。
差分數據頻閃(DQS, DQS#)與數據一起對外傳輸
用于DDR3 SDRAM輸入接收器的數據捕獲。DQS與數據居中對齊
對于寫道。讀取的數據由DDR3 SDRAM傳輸，并沿邊緣對齊
數據用閃光燈。
DDR3 SDRAM從差分時鐘(CK和ck#)操作。CK的交叉
走高和ck#走低被稱為CK的正邊。Control, com命令和地址信號在CK的每個正邊注冊。輸入數據注冊，注冊在WRITE前段后DQS的第一個上升沿，輸出數據引用，注冊在READ前段后DQS的第一個上升沿。
對DDR3 SDRAM的讀寫訪問是面向突發的。訪問從一個特定的選定的位置開始，并在一個已編程的
序列。訪問從ACTIVATE命令的注冊開始，然后
然后是READ或WRITE命令。注冊的地址位與
ACTIVATE命令用于選擇要訪問的銀行和行。與READ或WRITE命令一致注冊的address bits用于選擇
銀行和開始列的位置為突發訪問。
設備使用READ和WRITE BL8和BC4。可具有自動預充功能
啟用提供自定時行預充，在爆發結束時啟動
訪問。
與標準DDR SDRAM一樣，DDR3 SDRAM的流水線式多銀行架構
允許并發操作，從而通過隱藏行預收費和激活時間提供高帶寬。
提供了一個自我刷新模式，以及一個省電、關機模式
