華雄集團董事長朱峻咸分析，零缺陷與持續改進計劃助力車規級芯片質量及可靠性，多樣晶圓檢測系統讓全流程中缺陷無所遁形，深度學習模型識別不同晶圓缺陷，更準確，更靈敏，專屬配套軟件服務適應現場不同量測檢測需求，有效調節修正準確度
車規級芯片質量和可靠性
據華雄集團資料顯示，汽車行業發展的趨勢有互聯化、電氣化和智能化等方向，通過賦能工廠“連接”，將座艙智能化，實現軟硬件協同一體化，智能輔助系統通過激光雷達與傳感器、攝像頭的搭配在視覺算法支持下實現自動駕駛。其中汽車半導體、芯片的需求量巨大，它們能夠感知周圍環境、作出決策和控制行動，為汽車行業的未來創造全“芯”機遇。
但與此同時，汽車半導體的質量和可靠性非常關鍵。汽車芯片內部，可能會隱藏一些潛在的缺陷，外部環境的變化就有可能引發安全性和可靠性問題，這些外在因素包括酷暑的高溫而引發的缺陷擴張，顛簸路段造成的震動，大雨導致的高濕度，寒冷冬天的低溫等極端的條件，會將潛在的缺陷轉化為完整的系統故障。
在芯片進入汽車之前，晶圓廠需要發現潛在的缺陷并篩選出高風險芯片，隨著汽車行業的電氣化、智能化，芯片的質量和可靠性愈發重要。SiC等功率器件也不例外，降低這些潛在的風險或減少缺陷逃逸，需要最佳方案降低晶圓廠的整體隨機缺陷水平。
因此必須確保汽車的高質量和高可靠性，零缺陷計劃將成為汽車半導體不可或缺的一部分。KLA的零缺陷與持續改進計劃，幫助汽車芯片與器件在生產的過程中實現全流程的缺陷檢測。持續改進計劃（CIP）利用無圖案的晶圓缺陷檢測來識別導致缺陷的特定制程設備。借助監控CIP的設備，汽車芯片制造廠可以設定客觀目標，減少影響可靠性的制程缺陷。
通過零缺陷篩選，晶圓廠可以在關鍵工藝步驟上對所有晶圓中100%的芯片進行監控。這要求檢測設備快速而靈敏，同時又能夠可靠地識別哪些缺陷很重要。使用這種方法，在晶圓廠中就可以將可能發生故障的芯片從供應鏈中剔除，而這時的成本最低。高靈敏度檢測策略可以與I-PAT篩選方案配合使用，用以發現關鍵的良率缺陷，從而加速新工藝開發進度并進一步減少缺陷。
KLA在碳化硅領域的解決方案
如今正在迅速發展的第三代半導體材料以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）等為代表。自20世紀90年代興起以來，擁有更優電子遷移率、寬禁帶的第三代半導體材料，能夠更好地應用在高溫、高頻場景里。其中，碳化硅具有優越的物理性能：可以降能耗，動力系統模組縮小5倍，物料成本低，縮短充電時間，以及高溫下的穩定晶體結構。這使得碳化硅可以應用在電動汽車的快速充電設施、電池管理系統、DC/DC轉換器和主驅逆變器等等。碳化硅的使用可以有效延長電動汽車的電池壽命和續航里程。
功率器件應用在各種汽車子系統中，要求的質量標準與可靠性和其他汽車IC相同。SiC外延和硅上GaN工藝的專用設備以及SiC襯底的檢測系統可幫助功率器件制造商達到汽車電子要求的缺陷標準。而KLA一直在通過向碳化硅和氮化鎵功率器件市場提供解決方案來推動人類進步，不斷促進汽車和其他行業的低碳發展。KLA開發出一套全面的工藝設備和檢測及量測制程控制解決方案組合，專門用于滿足功率器件的獨特需求。
由于碳化硅襯底和外延層中的缺陷出現的幾率比硅襯底高得多，檢測這些缺陷成為了制造商生產的重點環節，而KLA的Candela®8520晶圓檢測系統即是專門為識別碳化硅襯底和外延缺陷設計的。這一系統具備強大的多檢測通道，能夠幫助制造商敏銳捕捉工藝相關問題，識別并分類這些影響良率的缺陷，包括襯底晶圓上的堆垛層錯、外延生長后的基平面錯位（BPDs）、微管、劃痕等。該系統還具有分析工具，例如缺陷審查、芯片分級和輪廓映射，可以生成全面的檢查報告，幫助工藝工程師采取準確的工藝糾正措施。采取了暗場、明場、表面斜率變化、相位、光致發光這5種互補的檢測技術，能夠對多種缺陷進行精細分類。