Nexperia GaN FET 具有增強模式配置，適用于低壓 (100 V/150 V) 和高壓 (650 V) 應用

Nexperia增強模式 GaN FET 是低功率 650 V 應用的理想選擇，在電力系統中提供最佳的靈活性。得益于極低的 QC 和 QOSS 值，它們可提供卓越的開關性能，從而提高 650 V AC/DC 和 DC/AC 電源轉換的效率，并顯著節省 BLDC 和微型伺服電機驅動器或 LED 驅動器的空間和 BOM。Nexperia 的產品組合包括五個 RDS(ON)值在 80 mΩ 和 190 mΩ 之間的 650 V 額定增強模式 GaN FET，采用 DFN 5 mm x 6 mm 和 DFN 8 mm x 8 mm 封裝。它們提高了高壓、低功率 (<650 V) 數據通信/電信、消費類充電、太陽能和工業應用中的功率轉換效率。它們還可用于設計無刷直流電機和微型服務器驅動器，以實現更高扭矩和更大功率的精度。

特性 增強模式，常閉電源開關 超高頻開關能力 無體二極管 低柵極電荷，低輸出電荷 符合標準級應用規范 ESD 保護 符合 RoHS、無鉛和 REACH 標準 高能效和高功率密度 平面網格陣列 (LGA) 封裝 2.2 mm x 3.2 mm x 0.774 mm 低封裝電感和低封裝電阻 應用 高功率密度和高效功率轉換 AC-DC 轉換器（次級），圖騰柱 PFC 48 V 系統中的高頻 DC-DC 轉換器 400 V 至 48 V LLC 轉換器，次級（整流）側 激光雷達（非汽車） DC-DC 轉換器 太陽能 PV 逆變器 D 類音頻放大器、電視 PSU 和 LED 驅動器 數據通信和電信（交流到直流和直流到直流）轉換器 快速電池充電、手機、筆記本電腦、平板電腦和 USB Type-C® 充電器 電機驅動 GAN080-650EBEZ

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