IRF540N IRF540NPBF INFINEON英飛凌MOS 原廠原裝
IRF540N IRF540NPBF HEXFET功率MOSFET

型號：IRF540N IRF540NPBF
廠商：INFINEON英飛凌/IR
封裝：TO220
包裝：1000PCS/包裝
批次：新年份
類型：MOS
描述：HEXFET功率MOSFET
絲印（打字）：IRF540N
備注：IR原廠原裝
替代：

產品屬性 屬性值
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續漏極電流: 33 A
Rds On-漏源導通電阻: 44 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 47.3 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 140 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
商標: Infineon Technologies
配置: Single
高度: 15.65 mm
長度: 10 mm
產品類型: MOSFET
工廠包裝數量: 1000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 4.4 mm
單位重量: 2 g

IRF540NPBF描述
IRF540NPBF高級HEXFET®功率MOSFET采用先進的處理技術，以實現每個硅面積的極低導通電阻。 IRF540這種優點，結合HEXFET功率MOSFET眾所周知的快速開關速度和堅固耐用的器件設計，為設計人員提供了一種非常高效可靠的器件，可用于各種應用。
IRF540NPBF的TO-220封裝在所有商業工業應用中是普遍優先的，功耗級別約為50瓦。 TO-220的低熱阻和低封裝成本有助于其在整個行業的廣泛接受。

IRF540NPBF特性
先進工藝技術
超低導通電阻
動態dv / dt等級
175°C工作溫度
快速切換
完全擊穿等級
無鉛

IRF540NPBF
IRF540ZPBF
IRF540NSTRLPBF
IRF630NPBF
IRF640NPBF
IRF640NSTRLPBF
IRF200P222
IRF200S234
IRF2804PBF
IRF7103TRPBF
IRF7314TRPBF
IRF7341TRPBF
IRF7480MTRPBF
IRF7853TRPBF
IRF8788TRPBF
IRF9321TRPBF
IRF9388TRPBF
IRF9540NPBF

IRFB38N20DPBF
IRFB3004PBF
IRFB3077PBF
IRFB3206PBF
IRFB3207PBF
IRFB3207ZPBF
IRFB3306PBF
IRFB3307ZPBF
IRFB3607PBF
IRFB4019PBF
IRFB4020PBF
IRFB4110PBF
IRFB4115PBF
IRFB4127PBF
IRFB4227PBF
IRFB4229PBF
IRFB4310ZPBF
IRFB4321PBF
IRFB4332PBF
IRFB4410ZPBF
IRFB4615PBF
IRFB4620PBF
IRFB5615PBF
IRFB7434PBF
IRFB7437PBF
IRFB7440PBF
IRFB7534PBF
IRFB7537PBF
IRFB7540PBF
IRFB7730PBF
IRFB7734PBF