IRF540NS IRF540NSTRLPBF INFINEON英飛凌/IR功率NMOS 原廠原裝
IRF540NS IRF540NSTRLPBF INFINEON英飛凌/IR 100V單個N通道HEXFET Power MOSFET, 采用TO263封裝

型號：IRF540NS IRF540NSTRLPBF
廠商：INFINEON英飛凌/IR
封裝：TO263
包裝：800PCS/盤
批次：新年份
類型：MOS
描述：100V單個N通道HEXFET Power MOSFET, 采用TO263封裝
絲印（打字）：F540NS
備注：Infineon/IR原廠原裝
替代：

產品屬性 屬性值
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續漏極電流: 33 A
Rds On-漏源導通電阻: 44 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 47.3 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 3.8 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
商標: Infineon Technologies
配置: Single
高度: 4.4 mm
長度: 10 mm
產品類型: MOSFET
工廠包裝數量: 800
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 9.25 mm
單位重量: 4 g

IRF540NSTRLPBF說明
IRF540NSTRLPBF高級HEXFETÆ功率MOSFET利用先進的處理技術來實現極低的導通電阻硅面積。 IRF540NSTRLPBF這項優勢與HEXFET功率MOSFET眾所周知的快速開關速度和堅固耐用的器件設計相結合，為設計人員提供了一種極其有效和可靠的器件，可廣泛用于各種應用中。

IRF540NSTRLPBF特性
先進的工藝技術
超低導通電阻
動態dv / dt額定值
175°C工作溫度
快速切換
完全雪崩等級
無鉛

IRF540NSTRLPBF
IRF630NPBF
IRF640NPBF
IRF640NSTRLPBF
IRF200P222
IRF200S234
IRF2804PBF
IRF7103TRPBF
IRF7314TRPBF
IRF7341TRPBF
IRF7480MTRPBF
IRF7853TRPBF
IRF8788TRPBF
IRF9321TRPBF
IRF9388TRPBF
IRF9540NPBF

IRFB38N20DPBF
IRFB3004PBF
IRFB3077PBF
IRFB3206PBF
IRFB3207PBF
IRFB3207ZPBF
IRFB3306PBF
IRFB3307ZPBF
IRFB3607PBF
IRFB4019PBF
IRFB4020PBF
IRFB4110PBF
IRFB4115PBF
IRFB4127PBF
IRFB4227PBF
IRFB4229PBF
IRFB4310ZPBF
IRFB4321PBF
IRFB4332PBF
IRFB4410ZPBF
IRFB4615PBF
IRFB4620PBF
IRFB5615PBF
IRFB7434PBF
IRFB7437PBF
IRFB7440PBF
IRFB7534PBF
IRFB7537PBF
IRFB7540PBF
IRFB7730PBF
IRFB7734PBF