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IQD020N10NM5CGATMA1

發布時間:2023/10/19 16:37:00 訪問次數:62 發布企業:深圳市科雨電子有限公司

製造商: Infineon
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: TTFN-9
晶體管極性: N-Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 100 V
Id - C連續漏極電流: 273 A
Rds On - 漏-源電阻: 2.05 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 3.8 V
Qg - 閘極充電: 107 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 175 C
Pd - 功率消耗 : 333 W
通道模式: Enhancement
公司名稱: OptiMOS
系列: OptiMOS 5
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
品牌: Infineon Technologies
配置: Dual
下降時間: 7 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 6 ns
原廠包裝數量: 5000
子類別: MOSFETs
標準斷開延遲時間: 28 ns
標準開啟延遲時間: 15 ns
零件號別名: IQD020N10NM5CG SP005588861

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