製造商: onsemi
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: SiC
安裝風格: Through Hole
封裝/外殼: TO-247-4L
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 1.2 kV
Id - C連續漏極電流: 44 A
Rds On - 漏-源電阻: 40.8 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 8 V, + 22 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 3.22 V
Qg - 閘極充電: 75.2 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 175 C
Pd - 功率消耗 : 235 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
品牌: onsemi
配置: Single
下降時間: 5.94 ns
互導 - 最小值: 18.7 S
產品類型: MOSFET
上升時間: 4.78 ns
原廠包裝數量: 30
子類別: MOSFETs
標準斷開延遲時間: 26.5 ns
標準開啟延遲時間: 13.8 ns