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IKW50N60H3

發布時間:2023/10/24 15:10:00 訪問次數:87

制造商: Infineon
產品種類: IGBT 晶體管
RoHS: 詳細信息
技術: Si
封裝 / 箱體: TO-247-3
安裝風格: Through Hole
配置: Single
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 600 V
集電極—射極飽和電壓: 1.85 V
柵極/發射極最大電壓: - 20 V, 20 V
在25 C的連續集電極電流: 100 A
Pd-功率耗散: 333 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 175 C

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