制造商: Infineon
產品種類: IGBT 晶體管
RoHS: 詳細信息
技術: Si
封裝 / 箱體: TO-247-3
安裝風格: Through Hole
配置: Single
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1.2 kV
集電極—射極飽和電壓: 2.05 V
柵極/發射極最大電壓: - 20 V, 20 V
在25 C的連續集電極電流: 50 A
Pd-功率耗散: 326 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 175 C
系列: Trenchstop IGBT4
封裝: Tube
商標: Infineon Technologies
柵極—射極漏泄電流: 600 nA