NTD2955T4G 是一款 P溝道 耐壓:60V 電流:12A 類型:P溝道 閾值電壓(Vgs(th)@Id):4V@250uA 漏源電壓(Vdss):60V

連續漏極電流(Id):12A 功率(Pd):55W 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):180mΩ@10V,6A

品牌：ONSEMI/安森美 封裝：TO-252-2(DPAK) 引腳數：4 PIN （2500個/圓盤）

此功率 MOSFET 適用于承受雪崩和換相模式下的高能量。 適用于電源、轉換器和功率電機控制中的低壓高速開關應用。

此類器件尤其適用于二極管速度和換相安全運行區域非常關鍵的橋式電路，可針對非預期的瞬時電壓提供附加安全裕度。

NTD2955T4G的詳細參數

Source Content uid NTD2955T4G
Brand Name onsemi
是否無鉛 不含鉛
生命周期 Active
Objectid 1982540186
零件包裝代碼 DPAK (SINGLE GAUGE) TO-252
針數 3
制造商包裝代碼 369C
Reach Compliance Code not_compliant
Country Of Origin Mainland China, Malaysia, Vietnam
ECCN代碼 EAR99
HTS代碼 8541.29.00.75
Factory Lead Time 66 weeks
風險等級 0.47
Samacsys Description P-channel MOSFET Transistor, 12 A, 60 V, 3-pin D-PAK
Samacsys Manufacturer onsemi
Samacsys Modified On 2023-03-07 16:10:32
YTEOL 5.4
雪崩能效等級（Eas） 216 mJ
外殼連接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 60 V
最大漏極電流 (ID) 12 A
最大漏源導通電阻 0.18 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代碼 R-PSSO-G2
JESD-609代碼 e3
濕度敏感等級 1
元件數量 1
端子數量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 175 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度） 260
極性/信道類型 P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 55 W
最大脈沖漏極電流 (IDM) 18 A
認證狀態 Not Qualified
表面貼裝 YES
端子面層 Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長時間 30
晶體管應用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON

本公司主營是二三極管，MOS管和邏輯IC等，這邊有ON/安森美，

ST，TI，ADI,NXP，博通和英飛凌等一系列的原裝進口的電子元器件

如果你這邊有需要的話，可以加上面的聯系方式，這邊有什么問題，可以

以回復你。

下面是我司有的一些的電子型號，因為型號好多，有需要咨詢，這邊

也是加聯系方式

NTD2955T4G ON(安森美)
MC34063ADR2G MOTOROLA(摩托羅拉)
MK70FX512VMJ15 NXP(恩智浦)
NRF52840-QIAA-R NORDIC
STM32L151RET6 ST(意法)
ISO3082DWR TI(德州儀器)
LIS2DH12TR ST(意法)
STM32F429IIT6 ST(意法)
VND7012AYTR ST(意法)
NCP1117ST33T3G ON(安森美)
LM3481QMMX TI(德州儀器)
AT24C02C-SSHM-T TI(德州儀器)
MCIMX6D6AVT10AD NXP(恩智浦)
FT232RL-REEL FTDI(飛特帝亞)
STM8L052R8T6 ST(意法)
ATMEGA328P-PU Atmel(愛特梅爾)
MCF52259CAG80 Freescale(飛思卡爾)
VNH3SP30TR-E ST(意法)
XCF32PFSG48C XILINX(賽靈思)
W25Q32JVSSIQ WINBOND(華邦)
CKS32F030C8T6
EPCS16SI8N ALTERA(阿爾特拉)
STM32F107VCT6 ST(意法)
ADXL355BEZ ADI(亞德諾)
GD32F103CBT6 TI(德州儀器)
CY62167EV30LL-45ZXA Cypress(賽普拉斯)
STM32F427VIT6 ST(意法)
LMZ31710RVQR TI(德州儀器)
ATMEGA168PA-AU Atmel(愛特梅爾)
MBRS540T3G ON(安森美)
MBRD835LT4G ON(安森美)
MBRS340T3G Freescale(飛思卡爾)
TPA3116D2DADR TI(德州儀器)
BAV99 Diodes(美臺)
5CEFA9F23I7N ALTERA(阿爾特拉)
74HC14D XINBOLE(芯伯樂)
STM8S005K6T6C ST(意法)
STM32G070RBT6 ST(意法)
STM32F429ZIT6 ST(意法)
NCP1654BD133R2G ON(安森美)
MK60FN1M0VLQ12 Freescale(飛思卡爾)
MAX485ESA Maxim(美信)
MURS120T3G ON(安森美)
MAX13487EESA+T Maxim(美信)
LM3481MM/NOPB TI(德州儀器)
STM32F401RCT6 ST(意法)
TPS2HB16BQPWPRQ1 TI(德州儀器)
LTM4644IY LINEAR(凌特)
EPCS4SI8N XILINX(賽靈思)
CP2102-GMR SILICON LABS(芯科)
TL431AIDBZR NXP(恩智浦)
TPS5450DDAR TI(德州儀器)
MT41K256M16TW-107:P micron(鎂光)
MBRS3200T3G ON(安森美)
STM32F105RBT6 ST(意法)
STM32F105VCT6 ST(意法)
MC7805BDTRKG ON(安森美)
S9KEAZ128AMLH NXP(恩智浦)
ATMEGA128-16AU Atmel(愛特梅爾)
MC78M05CDTRKG ON(安森美)
AD8479ARZ ADI(亞德諾)
THS4521IDGKR TI(德州儀器)
TXS0102DCUR TI(德州儀器)
STM32F103R8T6 ST(意法)
LTM4644IY#PBF ADI(亞德諾)
BTS724G Infineon(英飛凌)
MC33079DR2G ON(安森美)
BTS6143D Infineon(英飛凌)
ATMEGA328PB-AU Microchip(微芯)
AD620ARZ ADI(亞德諾)
GD32F103VCT6 GD(兆易創新)
TMS320F2812PGFA TI(德州儀器)
TPS63020DSJR TI(德州儀器)
NTF2955T1G ON(安森美)
IRF4905PBF Vishay(威世)
LM393DR TI(德州儀器)
OP07CDR TI(德州儀器)
TMS320C6678ACYPA TI(德州儀器)
FS32K144HFT0MLLT NXP(恩智浦)
RTL8111H-CG REALTEK(瑞昱)
ATXMEGA256A3U-AU Atmel(愛特梅爾)
STM32F767IGT6 ST(意法)
XC7K325T-2FFG676I XILINX(賽靈思)
UC2844BD1R2G ST(意法)
ADM3251EARWZ ADI(亞德諾)